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产品属性
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: Power Semiconductor Modules
类型: SiC Power Module
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 22 V
安装风格: Screw
封装 / 箱体: Module
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
配置: Half-Bridge
商标: ROHM Semiconductor
通道数量: 2 Channel
下降时间: 50 ns
Id-连续漏极电流: 180 A
Pd-功率耗散: 880 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 12
子类别: Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
BSM180D12P3C007
ROHM(罗姆)
无铅环保型
分立半导体模块
SiC Power Module
- 4 V, + 22 V
- 40 C