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IXYS场效应IXFK48N50.IXFK44N5

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXFK48N50.IXFK44N50
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 200（V） 夹断电压 200（V）
低频跨导 1（μS） *间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 20（mA）
*大耗散功率 150（mW）

品牌

IXY美国电报半导体

型号

IXFK48N50.IXFK44N50