产品详情

场效应2SK1011--1018(图)

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区锦煜电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK1011-2SK1018.
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 450-500（V） 夹断电压 450-500（V）
低频跨导 111（μS） *间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 10-18（mA）
*大耗散功率 150（mW）

品牌

FUI日本富士通

型号

2SK1011-2SK1018.