台湾原厂高压MOS管晶圆片 1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60

地区:广东 深圳
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1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60 HVMOSFET WAFER

1N60

-N-T*e, 1A, 600V

-Rds(on) ≤ 9Ω @Vgs=10V

-Packaged T*e:TO-92, TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F

2N60

-N-T*e, 2A, 600V

-Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V

-Packaged T*e: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F

4N60

-N-T*e, 4A, 600V

-Rds(on) ≤ 2.2Ω @Vgs=10V

-Packaged T*e: TO-251, TO-252, TO-220, TO-220F

7N60

-N-T*e, 7A, 600V

-Rds(on) ≤ 1.3Ω @Vgs=10V

-Packaged T*e: TO-220, TO-220F

10N60

-N-T*e, 10A, 600V

-Rds(on) ≤ 0.75Ω @Vgs=10V

-Packaged T*e: TO-220, TO-220F



 

品牌/商标

Pm

型号/规格

1N60, 2N60, 4N60, 7N60, 10N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

WAFER/裸芯片

开启电压

-(V)

夹断电压

-(V)

*间电容

-(pF)

低频噪声系数

-(dB)

漏*电流

-(mA)

耗散功率

-(mW)