供应SMD三*管M*TA42LT1 M*TA92LT1(图)

地区:广东 深圳
认证:

深圳市大芯半导体有限公司

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参 数 名 称* 号测 试 条 件* 小* 大单位
集电*--基*击穿电压BVCBOIC=100μA,IE=0300 V
集电*--发射*击穿电压BVCEOIC=1mA,IB=0300 V
发射*--基*击穿电压BVEBOIE=100μA,IC=05 V
集电*--基*截止电流ICBOVCB=200V,IE=0 500nA
发射*--基*截止电流IEBOVEB=4V,IC=0 500nA
直流电流增益hFEVCE=5V,IC=10mA60300
集电*--发射*饱和电压VCE(satIC=20mA, IB=2mA 0.5V
基*--发射*饱和电压VBE(satIC=20mA, IB=2mA 0.9V