场效应管 BSC0921NDI,0921NDI

BSC0921NDI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,30V/30V,40A/40A,0.005Ω

英飞凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三种封装形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封装。S3O8封装尺寸仅为3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封装，一个六相转换器的外形尺寸仅为1,120平方毫米，比另外两种封装分别缩小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一个多片封装，集成了两个全新的OptiMOS晶体管和一个驱动IC。它的能效比市场上同类解决方案高2%至4%.

对于采用低导通电阻沟槽技术和超低栅极电荷横向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效优值方面表现更为出色。在导通电阻相同的情况下，全新的OptiMOS 25V器件的栅极电荷，比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%，而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。

电源设计人员可通过采用25V OptiMOS器件，减少产品的用电量，降低其热负载，甚至缩小其尺寸。这些改进对于数据中心运营商而言十分有益，因为服务器运行及制冷所发生的电费，是数据中心最大的运营成本项目。最终用户同样非常重视缩小整个系统的体积。