场效应管 AON6702,6702,AON6782,AON6780

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AON6702,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,85A,0.002Ω

产品型号:AON6702L
概述
SRFET AON6702一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中,负载开关和一般用途

封装:QFN-8 5*6/DFN5X6

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):85

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.4

功率PD(W):83

输入电容Ciss(PF):5900 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):140

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):259

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

上升时间Tr(ns):11 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):61 typ.

下降时间Tf(ns):27 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,85A,0.002Ω N-沟道增强型场效应晶体管 带二极管保护


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型号/规格

AON6702

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

AOS/美国万代

沟道类型

MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!,MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型