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产品属性
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AON6702,QFN-8 5*6/DFN5X6,SMD/MOS,N场,30V,85A,0.002Ω
产品型号:AON6702L
概述
SRFET AON6702一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中,负载开关和一般用途
封装:QFN-8 5*6/DFN5X6
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):85
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.4
功率PD(W):83
输入电容Ciss(PF):5900 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):140
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):259
导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):61 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,85A,0.002Ω N-沟道增强型场效应晶体管 带二极管保护
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AON6702
N-FET硅N沟道
S/开关
AOS/美国万代
MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!,MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
绝缘栅(MOSFET)
增强型