场效应管 SPA16N50C3 16N50C3 SPA16N50

产品型号:SPA16N50C3

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

最大漏极电流Id(A):16

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.28 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.9

功率PD(W):34

极间电容Ciss(PF):1600

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：14

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):460

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,16A  N-Channel MOSFET

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