场效应管 BSC252N10NSFG,252N10NS

产品型号:BSC252N10NSFG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):68

最大漏极电流Id(A):40

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0252 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):78

极间电容Ciss(PF):1100

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：35

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,40A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET