场效应管 SSM3J321T,KFA

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SSM3J321T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5.2A,0.046Ω

应用:
 * 电源管理开关应用
 * 高速开关应用
特点:
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻:RON =137mΩ(最大)(@ VGS =-1.5 V)
               RON =88mΩ(最大)(@ VGS= -1.8 V)
               RON =62mΩ(最大)(@ VGS= -2.5 V)
               RON =46mΩ(最大)(@ VGS =-4.5 V)

产品型号:SSM3J321T

封装:SOT-23

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-5.2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.7

输入电容Ciss(PF):640 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):12.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273

导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):102 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-20V,-5.2A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect

Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)


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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

SSM3J321T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5.2A,0.046Ω

材料

P-FET硅P沟道

用途

S/开关

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

P沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型