场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761

AP2761I-A,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,10A,1Ω

产品型号:AP2761I-A

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):10

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):37

输入电容Ciss(PF):2770 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):65

导通延迟时间Td(on)(ns):16 t*.

上升时间Tr(ns):20 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):82 t*.

下降时间Tf(ns):36 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,10A N-沟道增强型场效应晶体管