场效应管 BSC0923NDI 0923NDI

BSC0923NDI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,30V/30V,40A/40A,0.005Ω

特点
 * 双N沟道OptiMOS™MOSFET
 *优化的高性能降压转换器
 *逻辑电平（4.5V额定）
 *100％雪崩测试
 *符合到JEDEC1）为目标的应用
 *无铅引脚电镀，符合RoHS
 *无卤素根据IEC61249-2-21

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

品牌：INFINEON/英飞凌

英飞凌推出低FOM的OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列

为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220DrMOS。

    通过大幅降低三个关键的能效优值（FOM），这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电源的降压转换器的占板空间缩小40%以上。

    例如，在一个六相稳压器设计中，采用一个5V栅极驱动的全新25V OptiMOS器件，在输出电流为30A 至180A条件下，能效可超过90%，最高可达93%。这主要归功于该器件具备行业的导通电阻、的栅极电荷以及的输出电容等特性。英飞凌声称，它是全球第一家能够提供同时具备这样三种特性的器件的功率MOSFET供应商。

 据几家市场研究公司的预测，2011年服务器保有量将达到6,000万台。这些服务器的平均功耗为600瓦，总耗电量高达36,000兆瓦。这些服务器的用电量每减少1%，即可节省360兆瓦的电能，相当于一座水电站的装机容量。此外，更高效的电源的制冷需求相应降低，从而进一步减少耗电量。

    英飞凌科技低压MOSFET产品线负责人Richard Kuncic指出：“更高效地使用能源，也就是说消耗更少的电能，是确保未来能源安全的最有效的途径，英飞凌将为此做出巨大贡献。英飞凌为工业、电信、消费类电子设备和家电等领域的产品提供非常强大和高效的MOSFET解决方案。我们设立了MOSFET的性能标杆。我们矢志巩固我们作为MOSFET器件头号供应商的地位，使电源尽可能达到最高能效。通过推出这个全新的25V OptiMOS器件系列，我们能够让客户设计出功耗和成本更低的产品。”

    电源设计人员可通过采用25V OptiMOS器件，减少产品的用电量，降低其热负载，甚至缩小其尺寸。这些改进对于数据中心运营商而言十分有益，因为服务器运行及制冷所发生的电费，是数据中心最大的运营成本项目。最终用户同样非常重视缩小整个系统的体积。

    英飞凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三种封装形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封装。S3O8封装尺寸仅为3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封装，一个六相转换器的外形尺寸仅为1,120平方毫米，比另外两种封装分别缩小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一个多片封装，集成了两个全新的OptiMOS晶体管和一个驱动IC。它的能效比市场上同类解决方案高2%至4%。

    相对于采用低导通电阻沟槽技术和超低栅极电荷横向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效优值方面表现更为出色。在导通电阻相同的情况下，全新的OptiMOS 25V器件的栅极电荷，比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%，而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。