场效应管 CMF8N60 CMF5N60

地区:广东 深圳
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CMF8N60,TO-220F,Cmosfet,DIP/MOS,N场,600V,8A, CMF5N60,TO-220F,DIP/MOS,600V,4.5A

General Description(概述)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用先进技术生产特别适合最大限度地减少通态电阻,优越的开关性能和承受的高能量脉冲雪崩和通讯模式。这些器件非常适合高效率开关模式电源,功率因数校正和电子灯镇流器半桥。

 

 

Features(特点)

Originative新设计

100%的雪崩测试

非常低的固有电容

 快速开关

改进的dv / dt能力

4.5A, 600V, RDS(on) = 2 .5Ω @VGS = 10 V

 

 

 

APPLICATIONS(应用)

无极灯

电源供应器

适配器

充电器

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

CMF8N60,TO-220F,Cmosfet,DIP/MOS,N场,600V,8A,

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

Cmosfet

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型