场效应管 RJK5003DPD

RJK5003DPD,MOS,500V,5A,1.5Ω,252

产品型号:RJK5003DPD
应用
 * 照明镇流器，开关电源等等。

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):62.5

输入电容Ciss(PF):550 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.

上升时间Tr(ns):20 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.

下降时间Tf(ns):25 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管

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