场效应管 TK30A06J3A,K30A06J3A

地区:广东 深圳
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TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω

 

产品型号:TK30A06J3A

封装:TO-220F

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):25

输入电容Ciss(PF):1950 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):34

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):40

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.

下降时间Tf(ns):48 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TK30A06J3A 60V,30A N-沟道增强型场效应晶体管

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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

P沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型