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TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω
产品型号:TK30A06J3A
封装:TO-220F
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):25
输入电容Ciss(PF):1950 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):34
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):40
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.
下降时间Tf(ns):48 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TK30A06J3A 60V,30A N-沟道增强型场效应晶体管
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P-DIT/塑料双列直插
TK30A06J3A,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,80A,0.026Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型