场效应管 STF11NM80 F11NM80 11NM80

地区:广东 深圳
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 MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
800V N沟道 场效应管(MOSFET):

STF11NM80,MOS,800V,11A,0.4Ω,220F
FQA8N80C,FAIRCHILD,TO-3P,DIP/MOS,N,800V,8.4A,1.2Ω
FMV10N80E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,800V,10A
2SK3530-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,800V,7A,1.9Ω
2SK3264-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,800V,7A,2Ω
FQPF8N80C,FAIRCHILD TO-220F,800V 8A
FQPF7N80C,FAIRCHILD TO-220F,800V,7A
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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STF11NM80摩洛哥,MOS,800V,11A,0.4Ω,220F

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

30

极间电容

1630

漏极电流

11A