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产品属性
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SSM3J113TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-1.7A,0.169Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
特点:
* 2.0V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 363mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:Ron = 230mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:Ron = 158mΩ (max) (@VGS = -4.0 V))
产品型号:SSM3J113TU
封装:SOT-323
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±12
最大漏极电流Id(A):-1.7
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.169 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.1
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):370 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(ms):2.7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):33 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):47 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J113TU,-20V,-1.7A P-沟道增强型场效应晶体管
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SMD(SO)/表面封装
SSM3J113TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-1.7A,0.169Ω
P-FET硅P沟道
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
P沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型