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产品属性
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STP3NK60ZFP,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2.4A,3.6Ω
产品型号:STP3NK60ZFP
特点:
* 典型的RDS(ON)=3.3Ω
* *高dv/dt能力
* 100%的雪崩测试
* 栅*电荷*小化
* *低的固有电容
* 制造重复性*好
说明
*?系列获得通过*端优化ST的确立脱衣的PowerM*H布局。在除了推动的导通电阻显着下降,*是采取措施,*一个很好的dv/dt能力为*苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括*MDmesh产品。
应用
* 大电流,高开关速度
* 理想的OFF-LINE电源供应器,适配器和PFC
* 照明
封装:TO-220F
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):2.4
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):311 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):1.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):150
导通延迟时间Td(on)(ns):9 t*.
上升时间Tr(ns):14 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):19 t*.
下降时间Tf(ns):14 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管
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CER-DIP/陶瓷直插
STP3NK60ZFP,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2.4A,3.6Ω
N-FET硅N沟道
L/功率放大
ST/意法
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型