场效应管 AP60T03GS 60T03GS AP60T03

地区:广东 深圳
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产品型号:AP60T03GS

封装:SOT-263/D2PAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):44

极间电容Ciss(PF):1135

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,45A N-channel MOSFET


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漏极电流

45A

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

AP60T03GS,MOS,30V,45A,0.012Ω,263

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

AP/富鼎

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

20

导电方式

增强型

极间电容

1816