场效应管 BSC028N06LS3G,028N06LS

BSC028N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0028Ω

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:BSC028N06LS3G

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):100

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):139

*间电容Ciss(PF):13000

通道*性:N沟道

封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8  /-55 ~150

描述:60V ,100A  N-Channel 功率MOSFET

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