场效应管 2SK3667,K3667,2SK3767,K3767

产品型号:2SK3667
 特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 0.75 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 100uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2 to 4 V (VDS=10V,ID=1mA)

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):7.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):1300 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189

导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.

上升时间Tr(ns):20 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.

下降时间Tf(ns):35 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,7.5A N-沟道增强型场效应晶体管