场效应管 AOTF8N50,TF8N50,HIRF840F

产品型号:AOTF8N50

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.6

功率PD(W):38.5

输入电容Ciss(PF):868 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307

导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 t*.

上升时间Tr(ns):47 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 t*.

下降时间Tf(ns):38.5 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管