场效应管 SSM3J332R,KFJ

SSM3J332R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-6A,0.042Ω，带二极静电保护

应用:
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 1.8-V驱动器
 * 低导通电阻RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
             RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

产品型号:SSM3J332R

封装:SOT-23

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):-6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.042 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.2

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):560 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：11.3

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J332R，-30V,-6A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect

Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

登陆我站:https://www.chinajincheng.com

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)