场效应管 CEP75N06,CEP6060N

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP75N06

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):3650

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220  /-55 ~150

描述:60V, 75A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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3、:4006262666
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