场效应管 2SK3688,2SK3688-01S,K3688

地区:广东 深圳
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产品型号:2SK3688-01S

封装:SOT-263

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):16

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):270

输入电容Ciss(PF):1590 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):13

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7

导通延迟时间Td(on)(ns):29 t*.

上升时间Tr(ns):16 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):58 t*.

下降时间Tf(ns):8 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管

"
封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

2SK3688-01S,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,16A,0.57Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

FUJI/富士通

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型