场效应管 2SK3688,2SK3688-01S,K3688
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品型号:2SK3688-01S
封装:SOT-263
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):&plu*n;30
*大漏*电流Id(A):16
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):270
输入电容Ciss(PF):1590 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7
导通延迟时间Td(on)(ns):29 t*.
上升时间Tr(ns):16 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):58 t*.
下降时间Tf(ns):8 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管
"SMD(SO)/表面封装
2SK3688-01S,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,16A,0.57Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
FUJI/富士通
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型