场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D

产品型号:TK12A65D

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):12

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):2300 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611

导通延迟时间Td(on)(ns):35 t*.

上升时间Tr(ns):90 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):20 t*.

下降时间Tf(ns):150 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管