场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60

产品型号:CMD2N60

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):2

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):220 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管

General Description(概述)

该2n60已采用*的高电压晶体管的过程，目的是提供高水平的性能和稳定性在流行的交直流应用。

Features(特点)

2.0A，600V，RDS（ON）= 5Ω@ VGS= 10V
 快速开关
 100％雪崩测试
 *的dv/dt能力

APPLICATIONS(应用)

电源供应器

功率因数校正

大电流，*开关