供应场效应管 APM2055NU APM2055

地区:广东 深圳
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产品型号:APM2055NU

封装:SOT-252/DPAK

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):&plu*n;16

*大漏*电流Id(A):10

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):50

*间电容Ciss(PF):380

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:20V,10A N-Channel 功率MOSFET


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漏*电流

10A

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

APM2055NU,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.07Ω

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

APM/茂达

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

低频噪声系数

-

*间电容

380