场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D

产品型号:TK5A65D

封装:TO-220F

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):5

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):800 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：2.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180

导通延迟时间Td(on)(ns):40 t*.

上升时间Tr(ns):20 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):60 t*.

下降时间Tf(ns):12 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管