场效应管 MDF18N50 TH KIA18N50HF KIA18N50

MDF18N50TH，TO-220F，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，500V，18A，0.27Ω

该MDF18N50使用MagnaChip公司先进的MOSFET技术，可提供低导通电阻，高开关性能和优良的品质。
MDF18N50是合适的设备，开关电源，高速开关和通用应用程序。

产品型号:KIA18N50HF
1.概述
KIA18N50H N-沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压，高速功率开关应用，如高效率开关模

式电源，有源功率因数校正。
2. 特点
 * RDS（ON）=0.265Ω@ VGS= 10V
 * 低栅极电荷（典型值42nC）
 * 快速开关能力
 * 指定的雪崩能量
 * 改进dv / dt能力
3. 应用
 * 电源供应器
 * PFC
 * 大电流，高速开关

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):16

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.265 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):277

输入电容Ciss(PF):2530 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):330

导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.

上升时间Tr(ns):150 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):95 typ.

下降时间Tf(ns):110 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,16A N-沟道增强型场效应晶体管