场效应管 IRFI840BTU,IRFI840B,IRFI840,原装现货

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
大电压N沟道(TO-262)场效应管(MOSFET):
IRFI840BTU TO-262 FAIRCHILD DIP/MOS N 500V 4.5A 0.85Ω 4V
2SK3403 02 TOSHIBA TO-262 K3403  1 500/盒 DIP/MOS N场 450
BUZ41A  infineon TO-262   备2  DIP/MOS N场 500
FQI9N50*U 05NPB FAIRCHILD TO-262  STB25NM50 1 1K/盒 DIP/MOS N场 500
IPI50R140CP 08NPB infineon TO-262 5R140P  1 500/盒 DIP/MOS N场 500
SPI16N50C3 08NPB infineon TO-262   1 1K/盒 DIP/MOS N场 500
SPI21N50C3 07NPB infineon TO-262   1 500/盒 DIP/MOS N场 500
STB25NM50N-1 06NPB ST TO-262   1 1K/盒 DIP/MOS N场 500
FQI5N60*U 07NPB FAIRCHILD TO-262   1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
IPI60R099CPA 07NPB infineon TO-262 6R099A  1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
IPI60R250CP 08NPB infineon TO-262 6R250P  1 500/盒 DIP/MOS N场 600
IPI60R600CP 08NPB infineon TO-262 6R600P  1 500/盒 DIP/MOS N场 600
SPI11N60CFD 08NPB infineon TO-262 11N60CFD  1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
SPI15N60C3 08NPB infineon TO-262   1 500/盒 DIP/MOS N场 600
SPI15N60CFD 08NPB infineon TO-262 15N60CFD  1  DIP/MOS N场 600
STB21NM60N-1 08NPB ST TO-262 B21NM60N  1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
STB25NM60N-1 05NPB ST TO-262   1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
STB9NC60-1 04 ST TO-262 B9NC60  1 1K/盒 DIP/MOS N场 600
IPI60R199P 07NPB infineon TO-262 6R199P  1 500/盒 DIP/MOS N场 650
SPI15N65C3 08NPB infineon TO-262   1 500/盒 DIP/MOS N场 650
IRFBE30L IR 06 IR TO-262   1  DIP/MOS N场 800
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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

IRFI840BTU,TO-262,FAIRCHILD,DIP/MOS,N,500V,4.5A,0.85Ω

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

夹断电压

&plu*n; 30(V)

*间电容

1800(pF)

漏*电流

8A(mA)

耗散功率

134W(mW)