场效应管 SPP11N60C3 SPP11N60

地区:广东 深圳
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SPP11N60C3,MOS,600V,11A,0.38Ω,220

 

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.


KHB4D5N60P TO-220 KEC DIP/MOS N 600V 4.5A 2.5Ω
KHB7D5N60P1 TO-220 KEC DIP/MOS N 600V 7.5A 1.2Ω

PFB2N60,TO-220,达晶,DIP/MOS,N场,600V,2.1A,4.

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPP11N60C3,MOS,600V,11A,0.38Ω,220

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

30

*间电容

1200

漏*电流

11A