产品详情

供应 美格拉（纳）MOS—MDI2N60TH 原装

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

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 •封装形式：TO-251

 •VDS=600V

 •ID=1.9A

 •导通电阻：R≤4.5Ω

 •耗散功率：42W

 •工作温度范围：-55 ~ 150°C

 

 

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品牌/商标

MagnaChip(美格纳半导体)

型号/规格

MDI2N60TH

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

5（V）

跨导

500（μS）

极间电容

360（pF）

漏极电流

1900（mA）

耗散功率

42000（mW）