*结工艺MOSFET(英飞凌叫酷MOS)之NCE05N65 *替代7N60/8N60

地区:广东 深圳
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1,该产品为Super Junction(*结)工艺MOSFET,普通5N60的典型RDS(ON)约2欧姆,7N60或者8N60约1.5欧姆,而此产品RDS(ON)*大值才0.9欧姆哟!

 

2,此产品采用不同材料和工艺,有更好的频率响应和开关特性,使开关损耗更小!

 

3, 25W左右的LED电源,用TO252贴片封装即可,*替代普通7N或者8N的TO220F塑封插件应用。好处是:a,减少插件和整形的人工,*大的*生产效率!b,MOS管工作温度降低约30度,效率*约1%,使led电源温度下降,延长灯具寿命。c,更加美观,有科技感!

 





封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NCE05N65K

材料

N-FET硅N沟道

用途

SW-REG/开关电源

品牌/商标

NCE(新洁能)

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

属性

属性值