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F21NM60N STF21NM60N *原装ST公司TO-220F 18A 600V

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市长亮源科技有限公司

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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱
STx21NM60N(-1)
TO-220AB
ST Series TO-220FP, TO-*F
50
離散半導體產品
FET - 單路
MDmesh™
MOSFET N通道，金屬氧化物
標準
220 毫歐姆 @
8.5A, 10V
600V
17A
4V @ 250µA
66nC @ 10V
1900pF @ 50V
30W
通孔
TO-220-3全封裝
TO-220FP
管裝
497-5004-5規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱
STx21NM60N(-1)
TO-220AB
ST Series TO-220FP, TO-*F
50
離散半導體產品
FET - 單路
MDmesh™
MOSFET N通道，金屬氧化物
標準
220 毫歐姆 @
8.5A, 10V
600V
17A
4V @ 250µA
66nC @ 10V
1900pF @ 50V
30W
通孔
TO-220-3全封裝
TO-220FP
管裝
497-5004-5
品牌/型号

ST意法半导体/STF21NM60N

种类

结型JFET

用途

HA/行输出级

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

600（V）

夹断电压

600（V）

跨导

10（μS）

*间电容

10（pF）

低频噪声系数

10（dB）

漏*电流

1800（mA）

耗散功率

300（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型