STW10NK80Z增强型MOS管N沟道，*原装

品牌/商标	ST意法半导体	型号/规格	STW10NK80Z
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	MIN/微型
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	800（V）	夹断电压	4.0（V）
低频跨导	2（μS）	*间电容	2（pF）
低频噪声系数	2（dB）	*大漏*电流	9A（mA）
*大耗散功率	160W（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面工具箱其它名称

STP10NK80Z/FP, STW10NK80Z

TO-247 Pkg

ST Series TO-247

30

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

SuperM*H™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

900 毫欧 @ 4.5A, 10V

800V

9A

4.5V @ 100µA

72nC @ 10V

2180pF @ 25V

160W

通孔

TO-247-3

管件

*

1492 (CN2010-11 Interactive) 1492 (CN2010-11 PDF)

497-8004-KIT-ND- KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA

497-3254-5