2SK3568 (STA4,Q,M) *原装

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称
2SK3568
2SK3568(Q)
TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
50
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
520 毫欧 @ 6A, 10V
500V
12A
4V @ 1mA
42nC @ 10V
1500pF @ 25V
40W
通孔
2-10U1B
管件
TO-220SIS
2SK3568(Q)
2SK3568Q
2SK3568Q-ND
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK3568

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

500(V)

夹断电压

10(V)

低频跨导

5(μS)

*间电容

12(pF)

低频噪声系数

3(dB)

漏*电流

12A(mA)

耗散功率

40W(mW)