SI4830ADY 原装现货 * *

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
SI4830ADY
Pkg 5498
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
2,500
分离式半导体产品
MOSFETs - 阵列
-
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
22 毫欧 @ 7.5A, 10V
30V
3V @ 250µA
11nC @ 4.5V
5.7A
-
1.1W
表面贴装
8-SOIC(3.9mm 宽)
带卷 (TR)
*
1497 (CN091-10 PDF)
SI4830ADY-T1-E3TR
"
品牌

Vishay/威世通

型号

SI4830ADY

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

3(V)

低频跨导

6(μS)

*间电容

6(pF)

低频噪声系数

3(dB)

漏*电流

5.7A(mA)

耗散功率

1.1W(mW)