| 品牌/商标 |
VISHAY IR |
型号/规格 |
HFA08TB60 |
| 种类 |
*缘栅(MOSFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
用途 |
HA/行输出级 |
| 封装外形 |
SMD(SO)/表面封装 |
材料 |
GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 |
.（V） |
夹断电压 |
.（V） |
| 跨导 |
.（μS） |
*间电容 |
.（pF） |
| 低频噪声系数 |
.（dB） |
*大漏*电流 |
.（mA） |
| *大耗散功率 |
.（mW） |
| |
现货优势供应HFA08TB60 TO220 TO252............................................
