现货BAR18LT1G

地区:广东 深圳
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品牌/商标 0N 型号/规格 BAR18LT1G
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频)
封装外形 SP/*外形 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 .(V) 夹断电压 .(V)
跨导 .(μS) *间电容 .(pF)
低频噪声系数 .(dB) *大漏*电流 .(mA)
*大耗散功率 .(mW)

优是供应BAR18LT1G        ............................................................................................................................