N沟MOSF管IRFL014N

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFL014N
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	CC/恒流
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	10（V）	夹断电压	60（V）
跨导	0（μS）	*间电容	300（pF）
低频噪声系数	0（dB）	*大漏*电流	270（mA）
*大耗散功率	2000（mW）

SOT-223, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

200 毫欧 @ 1.6A, 10V

60V

2.7A

4V @ 250µA

11nC @ 10V

300pF @ 25V

2W

表面贴装

TO-261-4, TO-261AA

带卷 (TR)

SOT-223