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N沟MOSF管SI4840DY

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市钜腾电子有限公司

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品牌/商标 其他 型号/规格 SI4840DY
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 40（V） 夹断电压 5（V）
*大漏*电流 0（mA） *大耗散功率 0（mW）

SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
SI4840DY
8-SOIC
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
TrenchFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
逻辑电平门
9 毫欧 @ 14A, 10V
40V
10A
3V @ 250µA
28nC @ 5V
-
1.56W
表面贴装
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
8-SOICN
带卷 (TR)