MOSFET - 单场效应管FDB6030BL

品牌/商标	FAIRCHILD	型号/规格	FDB6030BL
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	10（V）	夹断电压	5（V）
跨导	0（μS）	*间电容	0（pF）
低频噪声系数	0（dB）	*大漏*电流	0（mA）
*大耗散功率	0（mW）

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

FDB6030BL, FDP6030BL

800

分离式半导体产品

FET - 单路

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

18 毫欧 @ 20A, 10V

30V

40A

3V @ 250µA

17nC @ 5V

1160pF @ 15V

60W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

TO-263AB

带卷 (TR)