STGP8M120DF3 晶体管原装 假一罚十

产品参数

产品种类: IGBT 晶体管

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 1.85 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 16 A

Pd-功率耗散: 167 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: STGP8M120DF3

集电极最大连续电流 Ic: 8 A  

商标: STMicroelectronics  

栅极—射极漏泄电流: 250 uA  

产品类型: IGBT Transistors  

最小包装: 1000

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