N沟MOSF管IRFR024N

品牌/商标	其他	型号/规格	IRFR024N
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	55（V）	夹断电压	25（V）

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRF(R,U)024NPbF

TO-252-2

IR Hexfet DPak

2,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

75 毫欧 @ 10A, 10V

55V

17A

4V @ 250µA

20nC @ 10V

370pF @ 25V

45W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63

带卷 (TR)

D-Pak

MOSFET