TO252封装 2N60(图)

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品牌/商标 SI*-IC 型号/规格 2N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 20(V) 夹断电压 20(V)
低频跨导 20(μS) *间电容 30(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)


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公司特色:上海光宇睿芯微电子有限公司(SI*-IC)是自主研发设计生产公司,在*产品品质的同时,价格也是*优的。

产品类别                            型号                                         封装

mosfetSE2N60TO252

品牌

SI*-IC

型号

2N60