SE2N60 场效应管TO252

地区:上海 上海市
认证:

上海光宇睿芯微电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 SI*-IC 型号/规格 2N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) *间电容 20(pF)
低频噪声系数 20(dB) *大漏*电流 10(mA)
*大耗散功率 10(mW)

上海光宇睿芯微电子有限公司(SI*-IC)提*品如下:

(电话:)  
 产品类别                     型号                                              封装 

mosfetSE2N60TO252