场效应管SE2N7002 光宇睿芯
地区：上海 上海市
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产品属性
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| 品牌/商标 | SI*-IC | 型号/规格 | SE2N7002 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/*外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 500（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
| Part No. | Package | Configuration | Vds | Vgs (&plu*n;) | ID | Rds(on) / Ohm max | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
| SE2N7002E | SOT523 | Single-N | 60 | 20 | 0.5 | 2.0 | 3.0 | ||
SHANGHAI July 2008 MICROELE*RONICSCO., LTD.
SE2N7002
| ||||||||
General DescriptionThe MOSFETs from SI*-IC provide the * combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. | Features●VDS (V)= 60V ●ID= 300mA ●RDS(ON)< 2Ω(VGS= 10V,ID=0.5A) ●RDS(ON)< 3Ω(VGS= 5V,ID=0.05A) | |||||||
Pin configurations See Diagram below
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Absolute Maximum Ratings | ||||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||||
Drain-Source Voltage | VDS | 60 | V | |||||
Gate-Source Voltage | VGS | &plu*n;20 | V | |||||
Drain Current (Note 1) | Continuous | ID | 300 | mA | ||||
Pulsed | 800 | |||||||
Total Power Dissipation | PD | 350 | mW | |||||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||||
Thermal Characteristics | ||||||||
Parameter | Symbol | T* | Max | Units | ||||
Maximum Junction-to-Ambient A | t ≤ 5s | RθJA | 357 | - | °C/W | |||
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或来电咨询:-8040
主要类目:1、TVS/*D保护器件 2、场效应管 3、稳压管、 4、肖特基二*管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三*管
