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封装TO220F TO220 2N60(图)

地区：上海 上海市
认证： 无

上海光宇睿芯微电子有限公司

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品牌/商标 SI*-IC 型号/规格 2N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1（V） 夹断电压 1（V）
低频跨导 1（μS） *间电容 30（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 1（mA）
*大耗散功率 1（mW）