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供应场效应G4IBC30KD

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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原装供应场效应G4IBC30KD

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品牌

IR/国际整流器

型号

G4IBC30KD

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

45（μS）

*间电容

45（pF）

低频噪声系数

45（dB）

漏*电流

45（mA）

耗散功率

45（mW）